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Vishay IRFPE50PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-247AC


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-597232-BP
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFPE50PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Vishay IRFPE50PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-247AC

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 800 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 3100 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Hersteller: Vishay · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): VIS · I(d): 7.8 A · Leistung (max) P(TOT): 190 W · Montageart: Durchführungsloch · Produkt-Art: MOSFET · Q(G): 200 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 1.2 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 4.7 A · Transistor-Merkmal: Standard · Typ (Hersteller-Typ): IRFPE50PBF · U(DSS): 800 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Vishay
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Vishay
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-247AC
Ausführung (Transistoren):
N-Kanal
Transistor-Merkmal:
Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
VIS
Typ (Hersteller-Typ):
IRFPE50PBF
Montageart:
Durchführungsloch
C(ISS):
3100 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
7.8 A
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
190 W
Q(G):
200 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
R(DS)(on):
1.2 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
4.7 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
U(DSS):
800 V
U(GS)(th) max.:
4 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
800 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, 800v mosfet, Vishay, IRFPE50PBF, 541-1089, IRFPE50PBF-ND
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