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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4,9A; 190W; TO247AC


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4,9A; 190W; TO247AC
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4,9A; 190W; TO247AC
Artikel-Nr.:
     2805-IRFPE50PBF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFPE50PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO247AC
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 4,9A
Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 190W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 200nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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