Transistor bei Mercateo günstig kaufen (Seite 666/1.021)

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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3 (1 Angebot)

IXYS

IXBH12N300

ab € 21,91*
pro Stück

Infineon IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 103 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 103 W Gehäusegröße = To-247-3-HCC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinan...

Infineon

IKWH50N65WR6XKSA1

ab € 62,8002*
pro 30 Stück

ROHM EMH11FHAT2R TRANSISTOR, 2FACH NPN, 50V, SOT-563 (2 Angebote)

Produktpalette: EMH11 Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerp...

ROHM Semiconductor

EMH11FHAT2R

ab € 0,0409*
pro Stück

Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 22A; 165W; TO247-3 (1 Angebot)

IXYS

IXA20IF1200HB

ab € 3,19*
pro Stück

Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO220-3 (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO220-3 Pinanzahl = 3

Infineon

IGP40N65H5XKSA1

ab € 1,81*
pro Stück

ROHM EMX1FHAT2R TRANSISTOR, 2FACH NPN, 50V, SOT-563 (2 Angebote)

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Zweifach npn Verlustleistung, NPN: 150 mW Betriebstemperatur, max.: 150 °...

ROHM Semiconductor

EMX1FHAT2R

ab € 0,0509*
pro Stück

Infineon IGBT / 7,5 A 20V max. , 600 V 6,8 W PG-SOT223-3 (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 7,5 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 6,8 W Gehäusegröße = PG-SOT223-3

Infineon

IKN04N60RC2ATMA1

ab € 0,49*
pro Stück

ROHM EMZ1FHAT2R TRANSISTOR, NPN/PNP, 50V, SOT-563 (2 Angebote)

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN, PNP Verlustleistung, NPN: 150 mW Betriebstemperatur, max.: 150 °C Ba...

ROHM Semiconductor

EMZ1FHAT2R

ab € 0,0723*
pro Stück

Transistor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 66A; 543W; T-Max (1 Angebot)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT50GN120B2G

ab € 10,67*
pro Stück

ROHM MMSTA06T146 TRANSISTOR, SMD, SC-59, NPN (1 Angebot)

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 V Bet...

ROHM Semiconductor

MMSTA06T146

ab € 0,0851*
pro Stück

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264 (1 Angebot)

IXYS

IXBK55N300

ab € 87,00*
pro Stück

ROHM RGCL80TS60GC11 IGBT, 600V, 65A, 175DEG C, 148W (1 Angebot)

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Bauform - Transistor: TO-247N Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4 V Kontinui...

ROHM Semiconductor

RGCL80TS60GC11

ab € 1,87*
pro Stück

Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 24A; 250W; TO247-3 (1 Angebot)

IXYS

IXGH30N120C3H1

ab € 7,71*
pro Stück

Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3

Infineon

AIGW40N65H5XKSA1

ab € 5,13*
pro Stück

STMICROELECTRONICS A2C50S65M2 IGBT-MODUL, 6 N-KANAL, 650V, 50A (2 Angebote)

Produktpalette: ACEPACK 2 M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: Modul Dauer-Kollektorstrom: 50 A Betriebstemperatur, max.: 150 °C IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Em...

ST Microelectronics

A2C50S65M2

ab € 46,44*
pro Stück

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