photodiode 940nm  (91 gefilterte Angebote unter 29.252.830 Artikeln)Zum Expertenwissen

Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940 nm Winkel halber Empfindlichkeit ±: 17.5 ° Produktpalette: WL-TDRW MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, max.: 85 °C Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Qualifi...

Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940 nm Winkel halber Empfindlichkeit ±: 17.5 ° Produktpalette: WL-TDRB MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, max.: 85 °C Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Qualifi...

Silizium PIN Fotodioden Typ Vishay VBP104SR. Maße: 6,4 x 3,9 x 1,2 mm, Betriebstemperatur: –40 bis +100 °C, Gehäuse: Reverse Gullwing. Technische Merkmale (Typ, Strom (Ira), Erfassungswinkel, spekt...

Silizium PIN Fotodioden Typ Vishay VEMD20... Sehr schnelle und sehr empfindliche PIN Fotodiode, mit Tageslichtfilter, AEC-Q101 qualifiziert. Strom (Ira): 12 µA Erfassungsbereich: ±15° spektraler Be...

Erkennbare Spektren = IR, Sichtbares Licht Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 940nm Gehäusetyp = GW Montage Typ = SMD Anzahl der Pins = 2 Diodenmaterial = Si Wellenlänge min. = 430nm Wellenläng...

IR-Fotodiode, Typ=1540801EEA300, Leistungsverteilung (PV) max.=150 mW, Leuchtkörper (Durchmesser)=-888, Spektralbandbreite max.=1.1 µm, Spektralbandbreite min.=700 nm, Umkehrdunkelstrom max.=10 nA,...

IR-Fotodiode, Typ=1541021ECA170, Leistungsverteilung (PV) max.=140 mW, Leuchtkörper (Durchmesser)=-888, Spektralbandbreite max.=1.1 µm, Spektralbandbreite min.=700 nm, Umkehrdunkelstrom max.=10 nA,...

IR-Fotodiode, Typ=VEMD5110X01, Abfallzeit max.=100 ns, Anstiegszeit max.=100 ns, Leistungsverteilung (PV) max.=215 mW, Leuchtkörper (Durchmesser)=-888, Spektralbandbreite max.=1.05 µm, Spektralband...

Erkennbare Spektren = IR Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 940nm Gehäusetyp = QFN Montage Typ = SMD Anzahl der Pins = 4 Diodenmaterial = Si Wellenlänge min. = 430nm Fallzeit typ. = 100ns Länge...

IR-Fotodiode, Typ=1540031EC4590, Leistungsverteilung (PV) max.=150 mW, Leuchtkörper (Durchmesser)=3 mm, Spektralbandbreite max.=1.1 µm, Spektralbandbreite min.=750 nm, Umkehrdunkelstrom max.=10 nA,...

Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940 nm Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60 ° Produktpalette: TOPLED Betriebstemperatur, max.: 125 °C Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Qualifizierungsstandard der Autom...

Silizium-PIN-Fotodiode, Typ=VEMD8130TR, Abfallzeit=675 ns, Anstiegzeit=625 ns, Betriebstemperatur, max.=85 °C, Betriebstemperatur, min.=-25 °C, Dunkelstrom=200 pA, Pins=4, Spitzenwellenlänge=940 nm...

Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 940nm Verstärkerfunktion = Nein Wellenlänge min. = 400nm Wellenlänge max. = 1100nm Fallzeit typ. = 0.04µs Länge = 5.09mm Breite = 4mm Höhe über Panel = 0.85mm...

Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940 nm Winkel halber Empfindlichkeit ±: - Produktpalette: VTS 30 Betriebstemperatur, max.: 105 °C Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Qualifizierungsstandard der Automobi...

Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940 nm Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60 ° Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, max.: 85 °C Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Qualifizierungs...