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  IGBT-Module (40 Artikel)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,buck chopper; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 800A Kollektorstrom im Impuls: 1,6kA Elektr...
ABB
5SNE 0800M170100
€ 1.273,90*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 1,7kV; Ic: 1,6kA; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1...
ABB
5SNA 1600N170300
€ 1.224,62*
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 Stück
Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 1,7kV; Ic: 2,4kA; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 2...
ABB
5SNA 2400N170300
€ 1.504,90*
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 Stück
Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 3,3kV; Ic: 1kA; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1...
ABB
5SNA 1000N330300
€ 1.513,39*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 3,3kV; Ic: 800A; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 8...
ABB
5SNA 0800N330100
€ 1.503,86*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 4,5kV; Ic: 650A; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 6...
ABB
5SNA 0650J450300
€ 1.661,09*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 4,5kV; Ic: 800A; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 8...
ABB
5SNA 0800J450300
€ 1.788,82*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 6,5kV; Ic: 400A; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 6,5kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 4...
ABB
5SNA 0400J650100
€ 1.821,98*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 6,5kV; Ic: 500A; HIPAK; SPT+ (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 6,5kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 5...
ABB
5SNA 0500J650300
€ 1.968,51*
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 Stück
Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 1,7kV; Ic: 2,4kA; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 2...
ABB
5SNA 2400E170305
€ 1.529,27*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 1,7kV; Ic: 3,6kA; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 3...
ABB
5SNA 3600E170300
€ 2.106,15*
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 Stück
Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 3,3kV; Ic: 1,2kA; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1...
ABB
5SNA 1200E330100
€ 1.828,10*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 3,3kV; Ic: 1,2kA; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1...
ABB
5SNA 1200G330100
€ 2.359,83*
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 Stück
Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 3,3kV; Ic: 1,8kA; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1...
ABB
5SNA 1800E330400
€ 2.355,92*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 4,5kV; Ic: 1,2kA; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1...
ABB
5SNA 1200G450300
€ 2.185,34*
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