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Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, SOT-323, BSS123W-7-F


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Produktinformationen
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, SOT-323, BSS123W-7-F
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, SOT-323, BSS123W-7-F
Artikel-Nr.:
     4502-33S2011
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     BSS123W-7-F
EAN/GTIN:
     4099879034236
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
MOSFET, BSS123W-7-F, Diodes Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht. Features * Niedrige Gate-Schwellenwertspannung * Niedrige Eingangskapazität * Schnelle Schaltgeschwindigkeit * Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage
Weitere Informationen:
Ausführung:
N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V:
6 Ω
Gehäuse:
SOT-323
max. Spannung:
100 V
max. Strom:
170 mA
max. Temperatur:
150 °C
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
SMD
Verlustleistung W (DC):
200 mW
Ursprungsland:
CN
Gewicht:
0.0002 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: diodes mosfet, feldeffekttransistor, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, FET
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Verpackungszustand:Originalverpackung geöffnet, ohne Beschädigung
Warenzustand:unbenutzt
Rücksendekosten:trägt der Kunde
Bearbeitungsgebühr:keine
Die Gewährleistungsfrist laut AGB bleibt unabhängig der angegebenen Rückgaberechte bestehen.
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.