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Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 9.7 A, TO-252-3, IRF52


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Produktinformationen
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 9.7 A, TO-252-3, IRF52
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 9.7 A, TO-252-3, IRF52
Artikel-Nr.:
     4502-31S3114
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF520NSTRLPBF
EAN/GTIN:
     4099879034052
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
MOSFETs, IRF520NSTRLPBF, Infineon Technologies Der IRF520NSTRLPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht. Er bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand in einem vorhandenen oberflächenmontierten Gehäuse. Features * Fortschrittliche Prozesstechnologie * Oberfläche montiert * Schnelles Umschalten Anwendungen * DC-Motoren * Wechselrichter * SMPS * Beleuchtung * Lastschalter * Batteriebetriebene Anwendungen
Weitere Informationen:
Ausführung:
N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V:
200 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC):
25 nC
Gehäuse:
TO-252-3
max. Spannung:
100 V
max. Strom:
9.7 A
max. Temperatur:
175 °C
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
SMD
Verlustleistung W (DC):
48 W
Gewicht:
0.0018 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, mosfet infineon, feldeffekttransistor, mosfet d2pak, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, FET
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Warenzustand:unbenutzt
Rücksendekosten:trägt der Kunde
Bearbeitungsgebühr:keine
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