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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 9A; Idm: 36A; 150W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-WMO9N65D1-CYG
Hersteller:
     WAYON
Herst.-Nr.:
     WMO9N65D1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: WAYON
Montage: SMD
Gehäuse: TO252
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 9A
Widerstand im Leitungszustand: 0,85Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 150W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 30nC
Technologie: WMOS™ D1
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 36A
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