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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2,4A; 36,8W; DPAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-TSM60NB900CP-ROG
Hersteller:
     Taiwan Semiconductor
Herst.-Nr.:
     TSM60NB900CP ROG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 2,4A
Widerstand im Leitungszustand: 0,9Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 36,8W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 9,6nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
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