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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6A; 8W; PDFN56


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-TSM300NB06DCR-RLG
Hersteller:
     Taiwan Semiconductor
Herst.-Nr.:
     TSM300NB06DCR RLG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: PDFN56
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 6A
Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 8W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 17nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet 60v, smd transistor
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