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Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
2805-SISC06DN-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SISC06DN-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 1212-8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 40A
Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky
Verlustleistung: 29,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 58nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -16...20V
Drainstrom im Impuls: 100A

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Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 40a mosfet

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