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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5,1A; 1,3W; SOT23

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5,1A; 1,3W; SOT23

Artikel-Nr.:
2805-SI2312CDS-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI2312CDS-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 5,1A
Widerstand im Leitungszustand: 41,4mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,3W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 8,8nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V

... > FET-Transistoren > N-Kanal-Transistoren > N-Kanal-Transistoren SMD

Weitere Suchbegriffe: smd-transistor sot23, smd transistor, vishay diode

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