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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-RHP020N06T100
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RHP020N06T100
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: MPT3
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 2A
Widerstand im Leitungszustand: 0,34Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 7nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 8A
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