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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 84A; SOT227B


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Produktinformationen
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 84A; SOT227B
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 84A; SOT227B
Artikel-Nr.:
     2805-IXYN100N120C3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXYN100N120C3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
IGBT Module
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 84A
Kollektorstrom im Impuls: 460A
Verlustleistung: 830W
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: GenX3™;XPT™
Weitere Suchbegriffe: Transistor, ixys igbt, smd transistor
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