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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
Artikel-Nr.:
     2805-FQB33N10LTM
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQB33N10LTM
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
on semiconductor mosfet
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 23A
Widerstand im Leitungszustand: 55mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 127W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 40nC
Technologie: QFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 132A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 100v
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