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IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; SO8; -600÷290mA


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-DGD1503S8-13
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DGD1503S8-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: SO8
Versorgungsspannung: 10...20V
Ausgangsstrom: -600...290mA
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Impulsanstiegszeit: 170ns
Impulsabfallzeit: 90ns
Anzahl Kanäle: 1
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Integrierten Schaltkreises-Art: high-side;Steuerung für Gates
Topologie: IGBT Halbbrücke;MOSFET Halbbrücke
Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, igbt
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