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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1,4A; Idm: 8,8A; 2,8W; SOT23-3


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1,4A; Idm: 8,8A; 2,8W; SOT23-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1,4A; Idm: 8,8A; 2,8W; SOT23-3
Artikel-Nr.:
     2805-BXT2800N10M
Hersteller:
     Bridgelux
Herst.-Nr.:
     BXT2800N10M
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: BRIDGELUX
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23-3
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 1,4A
Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,8W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 12nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 8,8A
Die Konditionen im Überblick1
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