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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 13A; Idm: 52A
Artikel-Nr.:
     2805-APT8065SVRG
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT8065SVRG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: SMD
Gehäuse: D3PAK
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 13A
Widerstand im Leitungszustand: 0,65Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 280W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 225nC
Technologie: POWER MOS 5®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 52A
Die Konditionen im Überblick1
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