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VISHAY SISH892BDN-T1-GE3 MOSFET N-KANAL 100V, 20A, POWERPAK 1212


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     139-3729616
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SISH892BDN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0253 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET Gen IV
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 20 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 29 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 V
  • SVHC: Lead (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 20a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SISH892BDN-T1-GE3, 3729616, 372-9616
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