MOSFET, P-Kanal, -60V, -1.25A, SOT-23

MOSFET, Typ=FDN5618P, Abfallzeit=8 ns, Anstiegzeit=16 ns, Ausschaltverzögerung=30 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=-60 V, Einschaltverzögerung=13 ns, Gate-Source-Spannung=20 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=-1.25 A, Leistungsverteilung (PV)=500 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=230 mΩ, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=P-Kanal, Verpackung=Band & Rolle