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| Artikel-Nr.: 108EL-1661716 Herst.-Nr.: FDN5618P EAN/GTIN: 5059042045161 |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 1,25 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = PowerTrench Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 170 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 500 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 8,6 nC @ 10 Vmm Höhe = 0.94mm
P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt. Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration. Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 1,25 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | PowerTrench | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 170 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 8,6 nC @ 10 Vmm | Höhe: | 0.94mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1661716, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDN5618P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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