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Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
139-2352452

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FDN5618P

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: p-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 1.2 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SuperSOT

Drain-Source-Spannung Vds: 60 V

Verlustleistung: 500 mW

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 V

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDN5618P, 2352452, 235-2452

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