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| Artikel-Nr.:
115-30156746 Herst.-Nr.:
SIHD2N80AE-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Leistungs-MOSFET der E-Serie, Typ=SIHD2N80AE-GE3, Abfallzeit=23 ns, Anstiegzeit=8 ns, Ausschaltverzögerung=10 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=800 V, Einschaltverzögerung=13 ns, Gate-Source-Spannung=30 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=2.9 A, Leistungsverteilung (PV)=62.5 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=2.5 Ω, Bauform=TO-252, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Band & Rolle Weitere Informationen: | | Ursprungsland: | CN | Höhe: | 2 mm | Tiefe: | 6 mm | Bruttogewicht: | 0,4 g | Breite: | 5 mm | MERCATEO_WA_NR: | 8541290000 |
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