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Infineon HEXFET IRLML9301TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23


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Infineon HEXFET IRLML9301TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,6 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     108EL-7259366
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRLML9301TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043877242
Suchbegriffe:
Diode
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 64 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 4,8 nC @ 4,5 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
3,6 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Serie:
HEXFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
64 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.4V
Gate-Schwellenspannung min.:
1.3V
Verlustleistung max.:
1,3 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
4,8 nC @ 4,5 Vmm
Betriebstemperatur min.:
-55 °Cmm
Weitere Suchbegriffe: diode infineon, leistungs-mosfet, diode sot-23, 7259366, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLML9301TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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