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| Artikel-Nr.:
108EL-4858358 Herst.-Nr.:
STS4DNF60L EAN/GTIN:
5059042088571 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 55 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -15 V, +15 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 15 nC @ 4,5 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-STripFET™-Dual-MOSFET, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 55 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -15 V, +15 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 15 nC @ 4,5 Vmm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, stm mosfet, smd transistor, 4858358, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STS4DNF60L, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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