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Infineon OptiMOS™ IPD30N06S4L23ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 60 V / 30 A, 3-Pin TO-252


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     108EL-2207404
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD30N06S4L23ATMA2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Diode
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = OptiMOS™
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,023 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 16V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
30 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Serie:
OptiMOS™
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,023 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
16V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd diode, mosfet 30a, 2207404, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD30N06S4L23ATMA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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