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| Artikel-Nr.: 108EL-2172637 Herst.-Nr.: IRL3803STRLPBF EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 140 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 9 mO Gate-Schwellenspannung max. = 1V Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon 30 V Single N-Kanal IR MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse.Planare Zellstruktur für eine breite Optimierung für eine breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern Produktqualifikation nach JEDEC-Standard Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard Hochstrombelastbares Gehäuse (bis zu 195 A, abhängig von der Matrizengröße) Kann wellengelötet werden Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 140 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9 mO | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet 140a, 2172637, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRL3803STRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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| | Lagerstand | Mind.-Menge | | Versand | | | | | | | | | | | | | | 800 | | € 5,90* | ab € 0,71* | € 0,90* | | | | Lager 108 | | | | 800 | | Frei Haus | ab € 0,99* | € 1,31* | | | | | | 1 Tag | | | 1 | | € 14,99* | ab € 0,94* | € 3,50* | | | | | | | | | | | | | | | | | Preise: Lager 108 | | Bestellmenge | Netto | Brutto | Einheit | | | | | | | | | | | | | | Bestellungen nur in Vielfachen von 800 Stück | Mindestbestellmenge: 800 Stück ( entspricht € 1.048,00* zzgl. MwSt. ) |
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