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IXYS HiperFET, Polar IXFH26N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 26 A 400 W, 3-Pin TO-247

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
108EL-194530

Hersteller:
IXYS

Herst.-Nr.:
IXFH26N50P

EAN/GTIN:
5059041482141

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 26 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 230 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Verlustleistung max. = 400 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Länge = 16.26mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	26 A
Drain-Source-Spannung max.:	500 V
Gehäusegröße:	TO-247
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	230 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	5.5V
Verlustleistung max.:	400 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-30 V, +30 V
Länge:	16.26mm
Betriebstemperatur min.:	-55 °C

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, transistor to-247, 194530, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH26N50P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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