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| Artikel-Nr.:
108EL-1844195 Herst.-Nr.:
BSS138L EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 200 mA
Drain-Source-Spannung max. = 50 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.85V
Verlustleistung max. = 225 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 1.01mm
Typische Anwendungen für den N-Kanal-MOSFET BSS138L sind DC/DC-Wandler, Energieverwaltung in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Computern, Druckern, PCMCIA-Karten, Mobiltelefonen und schnurlosen Telefonen.Niedrige Schwellenspannung SMD-Gehäuse SOT-23, Miniatur Ideal für Niederspannungsanwendungen Spart Plattenplatz Anwendungen DC/DC-Konverter Stromüberwachungseinheit Endprodukte Computer Drucker PCMCIA-Karten Mobiltelefone und schnurlose Telefone Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.85V | Verlustleistung max.: | 225 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1844195, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, BSS138L, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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