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| Artikel-Nr.: 108EL-1780815 Herst.-Nr.: IRL510PBF EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,6 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 540 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 3,7 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V Breite = 4.7mm Höhe = 9.01mm
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 540 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 3,7 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Breite: | 4.7mm | Höhe: | 9.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, mosfet to-220ab, 1780815, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRL510PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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