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Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-153177-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSP149
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4

Kleinsignal-Transistor

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 200 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 430 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-261-4 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 660 mA · Leistung (max) P(TOT): 1.8 W · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 14 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 5 V · R(DS)(on): 1.8 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 660 mA · Serie (Halbleiter): SIPMOS® · Transistor-Merkmal: Deleption Mode · U(DSS): 200 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 400 µA · U(GS)(th) max.: 1 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-261-4
Ausführung (Transistoren):
N-Kanal
Serie (Halbleiter):
SIPMOS®
Transistor-Merkmal:
Deleption Mode
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
BSP149
Montageart:
Oberflächenmontage
C(ISS):
430 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
660 mA
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
1.8 W
Q(G):
14 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
5 V
R(DS)(on):
1.8 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
660 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
400 µA
U(DSS):
200 V
U(GS)(th) max.:
1 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
200 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, 02050000021336, Infineon Technologies, BSP149, 354-5720
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