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ON Semiconductor NDT2955 MOSFET 1 P-Kanal 1.1 W SOT-223-4


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Produktinformationen
Produktabbildung
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Artikel-Nr.:
     102-1264978-BP
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NDT2955
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
ON Semiconductor NDT2955 MOSFET 1 P-Kanal 1.1 W SOT-223-4

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 601 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 30 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223-4 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 2.5 A · Leistung (max) P(TOT): 1.1 W · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 15 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 300 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 2.5 A · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
ON Semiconductor
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
ON Semiconductor
Gehäuseart (Halbleiter):
SOT-223-4
Ausführung (Transistoren):
P-Kanal
Transistor-Merkmal:
Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
OnS
Typ (Hersteller-Typ):
NDT2955
Montageart:
Oberflächenmontage
C(ISS):
601 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
30 V
I(d):
2.5 A
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
1.1 W
Q(G):
15 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
R(DS)(on):
300 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
2.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
U(DSS):
60 V
U(GS)(th) max.:
4 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
60 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: mosfet 60v, ON Semiconductor, NDT2955, 671-1096, NDT2955CT-ND
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