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  Transistor  (12.673 Angebote unter 27.629.770 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Infineon IGBT / 100 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 31-Pin Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 7 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Chassismontage Channel-Typ = N P...
Infineon
FP100R12N2T7BPSA1
ab € 1.291,92*
pro 10 Stück
 
 Packung
INFINEON FP50R12N2T7BPSA2 IGBT, MODUL, 1.2KV, 50A (2 Angebote) 
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 V Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop] Transistormontage: Platte IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Ei...
Infineon
FP50R12N2T7BPSA2
ab € 94,81*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON 2ED21834S06JXUMA1 GATE-TREIBER, IGBT/MOSFET, -40 BIS 125°C (2 Angebote) 
Quellstrom: 2.5 A Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Sinkstrom: 2.5 A ...
Infineon
2ED21834S06JXUMA1
ab € 1,004*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 7A; 24W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 7A Kollektorstrom im Impuls: 28A Transistor-Typ:...
ST Microelectronics
STGF7H60DF
ab € 0,80*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 140 A ±20V max. 6-fach, 1200 V 480 W (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 140 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 6
Infineon
FS100R12KE3BOSA1
ab € 155,99*
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 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom im Impuls: 180A Transistor...
Infineon
IGW60N60H3FKSA1
ab € 4,92*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3 (3 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3 Der bipolare Transi...
Infineon
AIKW40N65DF5XKSA1
ab € 4,15*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON FS300R12OE4BOSA1 IGBT MODULE, 1.2KV/460A/1.65KW/PRESS FIT (1 Angebot) 
Produktpalette: EconoPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 460 A IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollekto...
Infineon
FS300R12OE4BOSA1
ab € 404,41*
pro Stück
 
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Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO247-3-AI Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 59A Kollektorstrom im Impuls: 150A Ansc...
Infineon
IKFW50N60ETXKSA1
ab € 1.125,6408*
pro 240 Stück
 
 Packung
INFINEON FS50R12KT4B15BOSA1 IGBT, MODUL, N-KANAL, 1.2KV (1 Angebot) 
Produktpalette: EconoPACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: - Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 50 A IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Em...
Infineon
FS50R12KT4B15BOSA1
ab € 62,39*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON BFP183E7764HTSA1 HF-TRANSISTOR, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-143 (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8 GHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12 V Betri...
Infineon
BFP183E7764HTSA1
ab € 0,0957*
pro Stück
 
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Transistor: IGBT; 600V; 80A; 625W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 80A Kollektorstrom im Impuls: 240A Anschaltzeit...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80GA60LD40
ab € 16,53*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Transistormodul / 95 A ±20V max., 650 V 275 W ACEPACK 2 (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 95 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 275 W Konfiguration = Array 6
Infineon
FS75R07W2E3B11ABOMA1
ab € 44,79*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 8A; 30W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: NTE Electronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 8A Kollektorstrom im Impuls: 16A Anschaltzeit: 0,4µ...
NTE Electronics
NTE3302
ab € 13,22*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON BFP405H6740XTSA1 HF-TRANSISTOR, AEC-Q101, 25GHZ, SOT-343 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25 GHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5 V Betri...
Infineon
BFP405H6740XTSA1
ab € 0,145*
pro Stück
 
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