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"Transistor"

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DIODES INC. MMBT3904LP-7B TRANSISTOR NPN, 40V, 0.2A, 150°C, 0.4W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 V Bet...
Diodes
MMBT3904LP-7B
ab € 0,0822*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 63A Kollektorstrom im Impuls:...
Powersem
PSI 100/06
ab € 31,12*
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Infineon CoolMOS™ C7 IPW65R065C7XKSA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 700 V / 145 A, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 145 A Drain-Source-Spannung max. = 700 V Serie = CoolMOS™ C7 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,065 O Channel-Modus = Enhanceme...
Infineon
IPW65R065C7XKSA1
ab € 4,35*
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DIODES INC. FZT593TA TRANSISTOR PNP, 100V, 1A, 150°C, 2W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 V Bet...
Diodes
FZT593TA
ab € 0,307*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Brücke H; Urmax: 600V; Ic: 17A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 17A Kollektorstrom im Impuls:...
Powersem
PSHI 25/06
ab € 17,78*
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Infineon BFR740L3RHE6327XTSA1 SMD, NPN HF-Transistor 4 V / 40 mA, TSLP-3-9 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 40 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 4 V Gehäusegröße = TSLP-3-9 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Der Infineon BFP740L3RH ist ein Silizium-Germanium-Kohle...
Infineon
BFR740L3RHE6327XTSA1
ab € 0,47*
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DIODES INC. MMBT3906FZ-7B TRANSISTOR PNP, 40V, 0.2A, 150°C, 0.925W (1 Angebot) 
Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 V Bauform - Transistor: X2-DF...
Diodes
MMBT3906FZ-7B
ab € 0,115*
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Transistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 174W; TO247-3 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im Impuls: 100A Anschaltzei...
Diodes
DGTD120T25S1PT
ab € 2,52*
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Infineon IPD60R170CFD7 Transistor 600 V (2 Angebote)
Infineon
IPD60R170CFD7ATMA1
ab € 1,15*
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DIODES INC. FZT651TC TRANSISTOR, NPN, 60V, 3A, 150°C, 2W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 V Bet...
Diodes
FZT651TC
ab € 0,258*
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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD241C TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN (5 Angebote) 
STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD241C TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 3 A · DC Strom...
ST Microelectronics
BD241C
ab € 0,278*
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Transistor: IGBT; 1,2kV; 11A; 60W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Kollektor-Emitter-Strom: 11A Transistor-Typ: IGBT Verlustleistung: 60W Verpackungs-Art: Tube Eigens...
Infineon
IRG4PH20KDPBF
ab € 2,08*
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Infineon CoolMOS™ G7 IPDD60R080G7XTMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 83 A, 10-Pin DDPAK (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 83 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = CoolMOS™ G7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 10 Drain-Source-Widerstand max. = 0,08 O Channel-Modus = Enhancemen...
Infineon
IPDD60R080G7XTMA1
ab € 4,04*
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DIODES INC. MMBTH10Q-7-F HF-TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.05A (1 Angebot) 
Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25 V Bauform - Transistor: SOT-2...
Diodes
MMBTH10Q-7-F
ab € 0,092*
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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD239C TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN (5 Angebote) 
STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD239C TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Strom...
ST Microelectronics
BD239C
ab € 0,197*
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