Transistor  (12.747 Angebote unter 27.957.619 Artikeln)Zum Expertenwissen

Dauer-Kollektorstrom max. = 280 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 300 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXBX25N250, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...

Quellstrom: 500 mA Leistungsschalter: IGBT Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 17.5 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 500 mA Treib...

Dauer-Kollektorstrom max. = 70 A Kollektor-Emitter-Spannung = 900 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 500 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N ...

IGBT, IXBX50N360HV, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizie...

Produktpalette: TRENCHSTOP 5 MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V Kontinuierlich...

Dauer-Kollektorstrom max. = 70 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 300 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

IGBT, IXBX64N250, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...

Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: - Eingang: Invertierend, nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Sink...

Dauer-Kollektorstrom max. = 70 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 577 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXG50I4500KN, LITTELFUSE Ein einzelner Hochspannungs-IGBT mit einfacher Parallelisierung aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Einschaltspannung, Kurzschlussfestigkeit von 10 μs,...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinuierlicher Kollektor...

Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 278 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXGA12N120A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 3 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vorte...

Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberko...