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  transistor 250v  (19 gefilterte Angebote unter 27.603.666 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15025G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP (5 Angebote) 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15025G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-St...
onsemi
MJ15025G
ab € 4,08*
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 Stück
onsemi NPN Darlington-Transistor 250 V 15 A HFE:100, TO-247 3-Pin Einfach (4 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN Dauer-Kollektorstrom max. = 15 A Kollektor-Emitter-Spannung = 250 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Konfigura...
onsemi
MJH11022G
ab € 2,70*
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onsemi 2SC5200OTU THT, NPN Transistor 250 V / 17 A 30 MHz, TO-264 3-Pin (5 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 17 A Kollektor-Emitter-Spannung = 250 V Gehäusegröße = TO-264 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 150 W Gleichstromverstärkung min. = 80 Transisto...
onsemi
2SC5200OTU
ab € 2,75*
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 Stück
onsemi PNP Darlington-Transistor 250 V 15 A HFE:100, TO-247 3-Pin Einfach (3 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP Dauer-Kollektorstrom max. = 15 A Kollektor-Emitter-Spannung = 250 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Konfigura...
onsemi
MJH11021G
ab € 2,19*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO3P (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 82A Widerstand im Leitungszustand: 38mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500W P...
IXYS
IXTQ82N25P
ab € 4,91*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 700W...
IXYS
IXTK120N25P
ab € 9,64*
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 Stück
Infineon BSS139 Transistor 250 V (6 Angebote)
Infineon
BSS139H6327XTSA1
ab € 0,132*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0,375A; 1,5W; SC73,SOT223 (3 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT223;SC73 Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 0,375A Widerstand im Leitungszustand: 7,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,5W Polarisierun...
Nexperia
BSP126,115
ab € 0,23*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC (7 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO247AC Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 0,75Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 280W Polarisierung: unipo...
Vishay
IRFP264PBF
ab € 2,04*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20,4A; Idm: 132A; 235W (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 20,4A Widerstand im Leitungszustand: 94mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 235W Polarisierung: unip...
onsemi
FDP33N25
ab € 0,876*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC (4 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO247AC Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 0,14Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 190W Polarisierung: unipo...
Vishay
IRFP254PBF
ab € 1,40*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8,5A; 125W; D2PAK,TO263 (4 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 8,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: ...
Vishay
IRF644SPBF
ab € 0,74*
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 Stück
Infineon IRFB4332 Transistor 250 V (5 Angebote)
Infineon
IRFB4332PBF
ab € 1,70*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 120ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 80A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 390W ...
IXYS
IXFA80N25X3
ab € 5,09*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44,2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO3PN Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 44,2A Widerstand im Leitungszustand: 41mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480W Polarisierung: unipol...
onsemi
FDA69N25
ab € 2,27*
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