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| Artikel-Nr.: 102-150881-BP Herst.-Nr.: MJ15025G EAN/GTIN: k.A. |
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| ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15025G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -16 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -8 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): -500 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -250 V · Leistung (max) P(TOT): 250 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 4 MHz · VCE Sättigung (max.): -4 V
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | ON Semiconductor | Anzahl Kanäle: | 1 | Marke: | ON Semiconductor | Gehäuseart (Halbleiter): | TO-3 | Ausführung (Transistoren): | PNP | Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | OnS | Typ (Hersteller-Typ): | MJ15025G | Montageart: | Durchführungsloch | Kollektor Reststrom I(CES): | -500 µA | Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | -250 V | Collector-Strom I(C): | -16 A | DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: | -8 A | DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: | -4 V | DC Stromverstärkung (hFE): | 15 | Leistung (max) P(TOT): | 250 W | Transitfrequenz f(T): | 4 MHz | VCE Sättigung (max.): | -4 V | Produkt-Art: | Transistor (BJT) - diskret |
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