Thyristor  (4.132 Angebote unter 29.321.914 Artikeln)Zum Expertenwissen

STMicroelectronics BTA06-600BW Thyristor (SCR) - TRIAC TO-220AB 6 A 600 V TRIAC Symistor. Technische Daten: Anstiegsrate Durchlassstrom di(T)/dt: 50 A/µs · Betriebstemperatur (max.): +125 °C · Betr...

On-State Strom durchschnittlich = 3800A Thyristor-Typ = Phasenanschnittgesteuert Gehäusegröße = To-200AE Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1800V Spitzenstrom = 53kA Gate-Triggerstrom max. = 250mA ...

Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIPACK3 Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsspannung max.: 1,6V Vorwärtsstrom: 274A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Gatestrom: 150mA Strom im max. I...

STMicroelectronics BTA06-600CW Thyristor (SCR) - TRIAC TO-220AB 6 A 600 V TRIAC Symistor. Technische Daten: Anstiegsrate Durchlassstrom di(T)/dt: 50 A/µs · Betriebstemperatur (max.): +125 °C · Betr...

On-State Strom durchschnittlich = 12A Thyristor-Typ = SCR Gehäusegröße = TO220AB Spitzen-Sperrspannung periodisch = 600V Spitzenstrom = 125A

Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsspannung max.: 1,5V Vorwärtsstrom: 230A Struktur des Halbleiters: Gegentakt Gatestrom: 150/200mA Strom im max. Impuls: 2,25...

On-State Strom durchschnittlich = 1810A Thyristor-Typ = Phasenanschnittgesteuert Gehäusegröße = TO-200AC Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1800V Spitzenstrom = 30.7kA Gate-Triggerstrom max. = 250m...

Hersteller: IXYS Gehäuse: TO240AA Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsstrom max.: 55A Vorwärtsspannung max.: 1,22V Vorwärtsstrom: 35A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Gatestrom: 78/200mA St...

STMicroelectronics BTA08-600BWRG Thyristor (SCR) - TRIAC TO-220AB 8 A 600 V TRIAC Symistor. Technische Daten: Anstiegsrate Durchlassstrom di(T)/dt: 50 A/µs · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °...

Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIPACK1 Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsstrom max.: 52A Vorwärtsspannung max.: 1,8V Vorwärtsstrom: 27A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Gatestrom...