Kategorien
Deutschland
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  >  > SMD-Transistor

  SMD-Transistor  (11.564 Angebote unter 29.297.946 Artikeln)

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „SMD-Transistor“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht

"SMD-Transistor"

Überbegriffe
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
zurück
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 46 A Kollektor-Emitter-Spannung = 420 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Fairchild
ISL9V5036S3ST
ab € 11,34*
pro 5 Stück
 
 Packung
IGBT, 1200 V, 50 A, TO-268SU, Littelfuse IXGT30N120B3D1 (1 Angebot) 
IGBT, IXGT30N120B3D1, LITTELFUSE Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs mit niedrigem Vsat-Wert, die mit 3-20 kHz schalten, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Le...
Littelfuse
IXGT30N120B3D1
ab € 15,32*
pro Stück
 
 Stück
onsemi 2SC5706-TL-H SMD, NPN Transistor 50 V / 5 A 1 MHz, TP-FA 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 5 A Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = TP-FA Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 15 W Gleichstromverstärkung min. = 200 Transistor-K...
onsemi
2SC5706-TL-H
ab € 2,97*
pro 5 Stück
 
 Packung
IGBT, 1200 V, 75 A, TO-268S, Littelfuse IXGT32N120A3 (1 Angebot) 
IGBT, IXGT32N120A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 3 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vorte...
Littelfuse
IXGT32N120A3
ab € 12,34*
pro Stück
 
 Stück
IXYS IGBT / 134 A ±20V max., 1200 V 690 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 134 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 690 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...
IXYS
IXYN100N120C3H1
ab € 41,15*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, 1200 V, 9 A, TO-252, Littelfuse IXA4I1200UC-TRL (1 Angebot) 
IGBT, IXA4I1200UC-TRL, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit,...
Littelfuse
IXA4I1200UC-TRL
ab € 2,07*
pro Stück
 
 Stück
onsemi MJD200G SMD, NPN Transistor 25 V / 5 A 10 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 5 A Kollektor-Emitter-Spannung = 25 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 12,5 W Gleichstromverstärkung min. = 45 Tra...
onsemi
MJD200G
ab € 2,92005*
pro 15 Stück
 
 Packung
IGBT, 1200 V, 88 A, SOT-227B, Littelfuse IXA60IF1200NA (1 Angebot) 
IGBT, IXA60IF1200NA, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit, H...
Littelfuse
IXA60IF1200NA
ab € 35,56*
pro Stück
 
 Stück
IXYS IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 450 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 450 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...
IXYS
IXDN55N120D1
ab € 28,53*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, 1700 V, 12 A, TO-268S, Littelfuse IXGT6N170 (2 Angebote) 
IGBT, IXGT6N170, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit internationalem Standardgehäuse und Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringen Gate-Ansteuerungsanforderungen. Anwendungen * Kondensator...
Littelfuse
IXGT6N170
ab € 7,92*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 10 A ±14V max., 450 V 130 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
onsemi
ISL9V2040D3ST
ab € 3,43*
pro 5 Stück
 
 Packung
IGBT, 1200 V, 9 A, TO-252AA, Littelfuse IXA4I1200UC-TUB (1 Angebot) 
IGBT, IXA4I1200UC-TUB, Littelfuse Der mit dem hochmodernen GenX IGBT-Prozess und einer Extreme-Light-Punch-Through-Designplattform hergestellte Baustein zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit,...
Littelfuse
IXA4I1200UC-TUB
ab € 1,91*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 41 A ±10V max., 300 V 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal (3 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 41 A Kollektor-Emitter-Spannung = 300 V Gate-Source Spannung max. = ±10V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
onsemi
FGD3040G2-F085
ab € 0,80*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, 1700 V, 16 A, TO-268SU, Littelfuse IXGT16N170AH1 (1 Angebot) 
IGBT, IXGT16N170AH1, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Strombelastbarkeit, geringen Leitungsverlusten und Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringen Gate-Ansteuerungsanforderungen. ...
Littelfuse
IXGT16N170AH1
ab € 13,49*
pro Stück
 
 Stück
onsemi MJD210RLG SMD, PNP Transistor -25 V / –5 A 10 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –5 A Kollektor-Emitter-Spannung = -25 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 12,5 W Gleichstromverstärkung min. = 45 T...
onsemi
MJD210RLG
ab € 1,64*
pro 10 Stück
 
 Packung
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   771   vorwärts

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.