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  SMD-Transistor bei Mercateo online kaufen (7.797 Angebote unter 23.715.731 Artikeln)

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"SMD-Transistor"

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Transistor: IGBT; 650V; 21A; 100W; D2PAK (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Transistor-Typ: IGBT Kol...
INFINEON (IRF)
IRGS4715DPBF
ab € 1,37*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; IGBT Planar; 600V; 50A; 180W; D2PAK (2 Angebote) 
Transistor-Typ: IGBT Technologie: IGBT Planar Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Leistung: 180W Gehäuse: D2PAK Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektorstrom im Impuls: 120...
Infineon
AUIRGS30B60K
ab € 2,01*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal IGBT IRG4BC40W-SPBF, 600 V 40 A 30 → 150kHz, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 160 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl =...
Infineon
IRG4BC40W-SPBF
ab € 7,32*
pro 5 Stück
 
 Paket
Transistor: IGBT; IGBT Trench; 600V; 39A; 123W; D2PAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: IGBT Technologie: IGBT Trench Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Kollektor-Emitter-Strom: 39A Leistung: 123W Gehäuse: D2PAK Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektorstrom im Impuls: 72A...
Infineon
AUIRGS4062D1
ab € 4,18*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; IGBT Trench; 600V; 6A; 39W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: IGBT Technologie: IGBT Trench Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Kollektor-Emitter-Strom: 6A Leistung: 39W Gehäuse: DPAK Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektorstrom im Impuls: 18A Mo...
Infineon
AUIRGR4045D
ab € 1,48*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 100mW; SC59; 10mA (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-JFET Polarisierung: unipolar Leistung: 100mW Gehäuse: SC59 Gate-Source Spannung: -50V Montage: SMD Verpackungs-Art: Band; Rolle Gatestrom: 10mA Hersteller: TOSHIBA
Toshiba
2SK208-GR(TE85L,F)
ab € 0,143*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal IGBT IRG4BH20K-SPBF, 1200 V 11 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 11 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration ...
Infineon
IRG4BH20K-SPBF
ab € 1,75*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 150mW; SC59; Igt:10mA (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-JFET Polarisierung: unipolar Drainstrom: 14mA Leistung: 150mW Gehäuse: SC59 Gate-Source Spannung: -50V Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle; Band Gatestrom: 10mA Hersteller: TOSHIBA
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
ab € 0,224*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 10mA (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-JFET Polarisierung: unipolar Leistung: 225mW Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: -25V Montage: SMD Verpackungs-Art: Band; Rolle Gatestrom: 10mA Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor
MMBFJ309LT1G
ab € 0,213*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 50mA (4 Angebote) 
Transistor-Typ: N-JFET Polarisierung: unipolar Leistung: 225mW Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: -40V Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle; Band Gatestrom: 50mA Hersteller: ON SEMICONDUCTOR (FAIR...
ON Semiconductor
MMBF4117
ab € 0,0428*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal IGBT IRG4RC10SDPBF, 600 V 14 A, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 14 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = ...
Infineon
IRG4RC10SDPBF
ab € 5,26*
pro 5 Stück
 
 Paket
Transistor: N-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 50mA (2 Angebote) 
Transistor-Typ: N-JFET Polarisierung: unipolar Leistung: 225mW Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: -30V Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle; Band Gatestrom: 50mA Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor
MMBF4392LT1G
ab € 0,0634*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 350mW; SOT23; 10mA (5 Angebote) 
Transistor-Typ: N-JFET Polarisierung: unipolar Leistung: 350mW Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: -25V Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle; Band Gatestrom: 10mA Hersteller: ON SEMICONDUCTOR (FAIR...
ON Semiconductor
MMBFJ310
ab € 0,0561*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 350mW; SOT23; 50mA (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Transistor-Typ: N-JFET P...
ON Semiconductor
MMBF4392
ab € 0,062*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal IGBT IRG4RC10UDPBF, 600 V 8,5 A, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 8,5 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration =...
Infineon
IRG4RC10UDPBF
ab € 4,56*
pro 5 Stück
 
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