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| Artikel-Nr.:
108EL-7905321 Herst.-Nr.:
MJD200G EAN/GTIN:
5059042488616 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 5 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 25 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 12,5 W
Gleichstromverstärkung min. = 45
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 40 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 8 V
Arbeitsfrequenz max. = 10 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 5 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 25 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 12,5 W | Gleichstromverstärkung min.: | 45 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 40 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 8 V | Arbeitsfrequenz max.: | 10 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 7905321, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJD200G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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