Schalttransistor bei Mercateo günstig kaufen (Seite 723/845)

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Infineon IRFB5615 Transistor 150 V (4 Angebote)

Infineon

IRFB5615PBF

ab € 0,74*
pro Stück

ROHM IGBT / 23 A ±30V max. , 650 V 85 W, 3-Pin TO-3PFM N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 23 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 85 W Konfiguration = Single Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

ROHM Semiconductor

RGTV80TK65GVC11

ab € 1.627,371*
pro 450 Stück

Infineon IRFP4568 Transistor 150 V (6 Angebote)

Infineon

IRFP4568PBF

ab € 4,38*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC (4 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247AC Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 42mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 200W Polari...

Infineon

IRFP3415PBF

ab € 1,34*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2,6A; 2,8W; SOT223 (4 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: SOT223 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 2,6A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: R...

Infineon

IRFL4315TRPBF

ab € 0,25*
pro Stück

Infineon IRFI4321 Transistor 200 V (3 Angebote)

Infineon

IRFI4321PBF

ab € 1,41*
pro Stück

STMicroelectronics STB18N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung m...

ST Microelectronics

STB18N60M6

ab € 1.242,87*
pro 1.000 Stück

ROHM IGBT / 71 A ±30V max. , 650 V 202 W To-247GE (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 71 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 202 W Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

ROHM Semiconductor

RGWS80TS65DGC13

ab € 1.720,56*
pro 600 Stück

Infineon IPA105N15N3 G Transistor 30 V (3 Angebote)

Infineon

IPA105N15N3GXKSA1

ab € 3,18*
pro Stück

STMicroelectronics STB45N30M5 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor / 53 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 53 A Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung ma...

ST Microelectronics

STB45N30M5

ab € 3.722,84*
pro 1.000 Stück

Infineon IRFB4615 Transistor 150 V (4 Angebote)

Infineon

IRFB4615PBF

ab € 0,75*
pro Stück

ROHM IGBT / 85 A ±30V max. , 650 V 277 W To-247GE (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 85 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

ROHM Semiconductor

RGTH00TS65DGC13

ab € 2.418,774*
pro 600 Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB (4 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 32mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 320W Polari...

Infineon

IRFB52N15DPBF

ab € 1,28*
pro Stück

Infineon IRF3415 Transistor 40 V (6 Angebote)

Infineon

IRF3415PBF

ab € 0,928*
pro Stück

ROHM IGBT / 88 A ±30V max. , 650 V 245 W To-247GE (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 88 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 245 W Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

ROHM Semiconductor

RGWS00TS65DGC13

ab € 1.880,622*
pro 600 Stück

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