|  |
| |
| Artikel-Nr.:
108EL-1924649 Herst.-Nr.:
STB18N60M6 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.25V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 280 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.75V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.25V | Verlustleistung max.: | 110 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±25 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, transistor d2-pak, 1924649, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, MOSFET, STMicroelectronics, STB18N60M6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |