IGBT  (2.777 Angebote unter 27.759.704 Artikeln)Zum Expertenwissen

IGBT, IXGK100N170, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT, der für niedrige Leitungs- und Schaltverluste optimiert ist und Vorteile wie eine hohe Leistungsdichte und geringe Gate-Ansteuerungsanforderung...

Produktpalette: H MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 V Ko...

Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 600 W Gehäusegröße = TO-247AB Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzah...

IGBT, IXGK120N120A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 3 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vort...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85 V Kontinuierlicher Kollekt...

Dauer-Kollektorstrom max. = 6 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 25 W Gehäusegröße = TO-220FP Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXGK120N120B3, LITTELFUSE Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs mit niedrigem Vsat-Wert, die mit 3-20 kHz schalten, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Lei...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-220FP Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5 V Kontinuierlicher Kollekt...

Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247AD Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguratio...

IGBT, IXGK320N60B3, LITTELFUSE Mittelschneller PT-IGBT mit niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge von 5-40 kHz, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Leist...

Quellstrom: - Leistungsschalter: MOSFET Produktpalette: - Eingang: Invertierend, nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 16 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 16 Pin(s) Sinkstrom: - T...

Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 260 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

IGBT, IXGK400N30A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 10 kHz, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und gerin...

Nennstrom (Ic/Id): 3 A Produktpalette: - Nennspannung (Vces / Vdss): 600 V Bauform - IPM: NSDIP Isolationsspannung: 1 kV IPM-Baureihe: SLLIMM SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) IPM-Leistungsbaustein: IGBT...

Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 300 V Gate-Source Spannung max. = ±10V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...