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onsemi IGBT / 120 A ±20V max., 600 V 600 W, 3-Pin TO-247AB N-Kanal

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
108EL-7394945

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FGH60N60SMD

EAN/GTIN:
5059042716566

Suchbegriffe:

IGBT
Schalttransistor
Transistor
on semiconductor igbt

Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 600 W
Gehäusegröße = TO-247AB
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.6 x 4.7 x 20.6mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

Weitere Informationen:


Dauer-Kollektorstrom max.:	120 A
Kollektor-Emitter-Spannung:	600 V
Gate-Source Spannung max.:	±20V
Verlustleistung max.:	600 W
Gehäusegröße:	TO-247AB
Montage-Typ:	THT
Channel-Typ:	N
Pinanzahl:	3
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Abmessungen:	15.6 x 4.7 x 20.6mm
Betriebstemperatur min.:	-55 °C

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Weitere Suchbegriffe: igbt, 7394945, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FGH60N60SMD, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs

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