IGBT  (2.775 Angebote unter 27.760.458 Artikeln)Zum Expertenwissen

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 283 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

IGBT, IXGP30N120B3, LITTELFUSE Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs mit niedrigem Vsat-Wert, die mit 3-20 kHz schalten, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Leis...

Dauer-Kollektorstrom max. = 41 A Kollektor-Emitter-Spannung = 300 V Gate-Source Spannung max. = ±10V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...

IGBT, IXGP20N120B3, LITTELFUSE Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs mit niedrigem Vsat-Wert, die mit 3-20 kHz schalten, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Leis...

Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 200 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

IGBT, IXGP48N60A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 5 kHz, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringe...

IGBT, IXGP36N60A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 5 kHz, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringe...

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 283 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

IGBT, IXGR32N170AH1, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Strombelastbarkeit, einem elektrisch isolierten Anschluss und einer robusten NPT-Struktur. Features * MOS-Gate-Einschaltung - einfac...

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 290 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

IGBT, IXGR16N170AH1, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit einer antiparallelen Sonic-Diode und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringem Gate-Ansteuerungsbedarf. Features * Siliziumchip...

Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 260 W Gehäusegröße = TO-3P Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...

IGBT, IXGR72N60B3H1, LITTELFUSE Mittelschneller PT-IGBT mit niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge von 5-40 kHz, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Leis...

Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 75 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...

IGBT, IXGR6N170A, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit einem elektrisch isolierten Tab und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte und geringen Gate-Ansteuerungsanforderungen. Features * Siliziumc...