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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 67A; 315W; TO247AC


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-SIHG22N50D-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHG22N50D-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO247AC
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 14A
Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 315W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 98nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 67A
Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, mosfet 500v
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