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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; Idm: 204A; 117W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-PSMN016-100YS.115
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN016-100YS,115
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 51A
Widerstand im Leitungszustand: 12,7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 117W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 54nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 204A
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