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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; Idm: 330A; 238W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     2805-PSMN013-100YSEX
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN013-100YSEX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
smd transistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 58A
Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 238W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 75nC
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 330A
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