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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 68A; 400W; SMPD


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-MMIX1X100N60B3H1
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MMIX1X100N60B3H1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: SMPD
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 68A
Kollektorstrom im Impuls: 440A
Anschaltzeit: 92s
Ausschaltzeit: 350ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 400W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 143nC
Technologie: BiMOSFET™;GenX3™;XPT™
Weitere Suchbegriffe: ixys igbt, smd transistor
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